化学气相沉积(cvd)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(si3n4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。
为什么管内结焦会使管壁温度上升，并使炉管损坏：管内壁结上一层焦炭以后，增加了一层焦垢热阻，使管壁温度升高。其后，气相和液相介质将继续渗透到焦层的空隙中去，继续结焦，逐渐形成越来越厚的坚实的焦层，使管内温度急剧上升。当温度升高到允许值以上，加剧了炉管的腐蚀和高温氧化，使管壁厚度减薄，引起炉管鼓包、破裂。同时使管内压力降升高，炉子操作性能恶化甚至造成装置停产。
产品概述：
rk-1400t-s6010lb3三温区真空气氛管式炉以硅碳棒为发热元件；双层风冷结构；高纯氧化铝纤维真空吸附一次成型；高密度硅碳棒真空挤压成型；刚玉管外径为60、80mm。三个温区分别由三个独立的温控系统来控制且都为pid30段程序化控温。可通过调节三个温区的控温程序使炉管内温场形成一温度梯度，炉管两端装有不锈钢法兰，不锈钢法兰上安装有气嘴、阀门和压力表，抽真空时真空度能够达到10-3 pa,此系列真空气氛管式炉可以用cvd或pvd方法来生长纳米材料和制作各种薄膜。
主要用途：
rk-1400t-s6010lb3三温区真空气氛管式炉是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、cvd实验、真空退火用的理想产品. ，广泛用于电子陶瓷产品的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积（cvd）工艺等。

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